試驗(yàn)?zāi)康?/h1> 試驗(yàn)?zāi)康?br /> 高溫試驗(yàn)的目的是考核高溫對(duì)電子元器件的影響，確定電子元器件在高溫條件下工 作和儲(chǔ)存的適應(yīng)性。
試驗(yàn)原理
有嚴(yán)重缺陷的電子元器件處于非平衡態(tài)，這是一種不穩(wěn)定態(tài)，由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的 過(guò)渡過(guò)程既是誘發(fā)有嚴(yán)重缺陷產(chǎn)品失效的過(guò)程，也是促使產(chǎn)品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過(guò) 渡過(guò)程。這種過(guò)渡一般情況下是物理變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式,隨溫度成指數(shù)增 加。高溫應(yīng)力的目的是為了縮短這種變化的時(shí)間。所以該實(shí)驗(yàn)又可以視為一項(xiàng)穩(wěn)定產(chǎn)品 性能的工藝。
電子元器件在髙溫環(huán)境中，其冷卻條件惡化，散熱困難,將使器件的電參數(shù)發(fā)生明顯 變化或絕緣性能下降。如：在高溫條件下，存在于半導(dǎo)體器件芯片表面及管殼內(nèi)的雜質(zhì) 加速反應(yīng)，促使沾污嚴(yán)重的產(chǎn)品加速退化。此外,高溫條件對(duì)芯片的體內(nèi)缺陷、硅氧化層 和鋁膜中的缺陷，以及不良的裝片、鍵合工藝等也有一定的檢驗(yàn)效果。
試驗(yàn)設(shè)備
試驗(yàn)設(shè)備主要有髙溫箱（高溫室)和溫度計(jì)。高溫箱或高溫室提供一定的高溫場(chǎng)所 (環(huán)境）;溫度計(jì)用于測(cè)景和監(jiān)控試驗(yàn)溫度。還要有測(cè)量電性能參數(shù)的電測(cè)量系統(tǒng)。
試驗(yàn)程序和方法
①初始測(cè)量：將試驗(yàn)樣品放置在正常大氣條件下，使之達(dá)到溫度穩(wěn)定。然后按有關(guān) 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定對(duì)試樣進(jìn)行電性能、機(jī)械性能及外觀檢查。
②試驗(yàn)：按有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，選定髙溫溫度及加高溫時(shí)間,采用下述方法之一進(jìn)行試
驗(yàn)。
對(duì)帶溫度沖擊的試驗(yàn)：先將高溫箱溫度調(diào)到規(guī)定值，再將試樣放入箱內(nèi);試驗(yàn)時(shí)間從 箱溫恢復(fù)到規(guī)定值時(shí)算起。
對(duì)不帶溫度沖擊的試驗(yàn)：先將試樣放入箱內(nèi)，再把箱溫調(diào)到規(guī)定值;試驗(yàn)時(shí)間從箱溫 達(dá)到規(guī)定值時(shí)算起。
③試驗(yàn)過(guò)程屮是否加負(fù)荷：這應(yīng)按有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定進(jìn)行。
④中間測(cè)量：當(dāng)試樣處于高溫時(shí)，按有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定對(duì)其試樣進(jìn)行電性能、機(jī)械性能 及外觀檢查。
⑤恢復(fù)：試驗(yàn)結(jié)束后，將試樣從箱內(nèi)取出。在正常大氣條件下再恢復(fù)1?2小時(shí)。
⑥最后測(cè)童：按有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，對(duì)試樣進(jìn)行電性能、機(jī)械性能及外觀檢查。
例如，半導(dǎo)體集成電路總技術(shù)條件規(guī)定;將一、二類電路分別放在高溫箱中試驗(yàn)，其一 類產(chǎn)品的試驗(yàn)溫度為（125土3)eC;二類產(chǎn)品的試驗(yàn)溫度為(85士2)C;恒溫時(shí)間為30分 鐘。在這些條件下測(cè)量電參數(shù)，應(yīng)符合產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。又如，微電路溫度應(yīng)力范圍為 75°C?400°C,試驗(yàn)時(shí)間為24小時(shí)以上。試驗(yàn)前后被試樣品要在標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)環(huán)境中，即溫度 為(25±10)°C、氣壓為86?106kPa的環(huán)境中放置一定時(shí)間。多數(shù)的情況下，要求試驗(yàn)后 在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)完成終點(diǎn)測(cè)試。

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