試驗目的
高溫試驗的目的是考核高溫對電子元器件的影響，確定電子元器件在高溫條件下工 作和儲存的適應性。
試驗原理
有嚴重缺陷的電子元器件處于非平衡態，這是一種不穩定態，由非平衡態向平衡態的 過渡過程既是誘發有嚴重缺陷產品失效的過程，也是促使產品從非穩定態向穩定態的過 渡過程。這種過渡一般情況下是物理變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式,隨溫度成指數增 加。高溫應力的目的是為了縮短這種變化的時間。所以該實驗又可以視為一項穩定產品 性能的工藝。
電子元器件在髙溫環境中，其冷卻條件惡化，散熱困難,將使器件的電參數發生明顯 變化或絕緣性能下降。如：在高溫條件下，存在于半導體器件芯片表面及管殼內的雜質 加速反應，促使沾污嚴重的產品加速退化。此外,高溫條件對芯片的體內缺陷、硅氧化層 和鋁膜中的缺陷，以及不良的裝片、鍵合工藝等也有一定的檢驗效果。
試驗設備
試驗設備主要有髙溫箱（高溫室)和溫度計。高溫箱或高溫室提供一定的高溫場所 (環境）;溫度計用于測景和監控試驗溫度。還要有測量電性能參數的電測量系統。
試驗程序和方法
①初始測量：將試驗樣品放置在正常大氣條件下，使之達到溫度穩定。然后按有關 標準規定對試樣進行電性能、機械性能及外觀檢查。
②試驗：按有關標準規定，選定髙溫溫度及加高溫時間,采用下述方法之一進行試
驗。
對帶溫度沖擊的試驗：先將高溫箱溫度調到規定值，再將試樣放入箱內;試驗時間從 箱溫恢復到規定值時算起。
對不帶溫度沖擊的試驗：先將試樣放入箱內，再把箱溫調到規定值;試驗時間從箱溫 達到規定值時算起。
③試驗過程屮是否加負荷：這應按有關標準規定進行。
④中間測量：當試樣處于高溫時，按有關標準規定對其試樣進行電性能、機械性能 及外觀檢查。
⑤恢復：試驗結束后，將試樣從箱內取出。在正常大氣條件下再恢復1?2小時。
⑥最后測童：按有關標準規定，對試樣進行電性能、機械性能及外觀檢查。
例如，半導體集成電路總技術條件規定;將一、二類電路分別放在高溫箱中試驗，其一 類產品的試驗溫度為（125土3)eC;二類產品的試驗溫度為(85士2)C;恒溫時間為30分 鐘。在這些條件下測量電參數，應符合產品標準的規定。又如，微電路溫度應力范圍為 75°C?400°C,試驗時間為24小時以上。試驗前后被試樣品要在標準試驗環境中，即溫度 為(25±10)°C、氣壓為86?106kPa的環境中放置一定時間。多數的情況下，要求試驗后 在規定的時間內完成終點測試。